TN2524N8-G,Power MOSFET, Enhanced-Mode, N Channel, 240 V, 360 mA, 4 ohm, SOT-89, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8579754294
- Артикул
- TN2524N8-G
- Бренд
- Microchip Technology
- RDS-on
- 6000@10V mOhm
- Package
- 4SOT-89
- Mounting
- Surface Mount
- Rad Hard
- No
Цена по запросу
(от 295 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор, N-КАНАЛЬНЫЙ РЕЖИМ УСИЛЕНИЯ, 240 В, 6,0 Ом3, SOT-89 T/R | Microchip Technology Inc. TN2524N8-G
Технические параметры
| RDS-on | 6000@10V mOhm |
| Package | 4SOT-89 |
| Mounting | Surface Mount |
| Rad Hard | No |
| Packaging | Tape & Reel |
| Вес, г | 0.1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-89 |
| Корпус | sot-89 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Typical Fall Time | 20(Max)ns |
| Typical Rise Time | 10(Max)ns |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55 to 150 ?C |
| Особенности | - |
| Typical Turn-On Delay Time | 10(Max)ns |
| Maximum Gate Source Voltage | ?20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 20(Max)ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 240 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 0.36 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 240 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.36 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4 Ом |