Моя заявка (0)

TN2425N8-G, Транзистор N-МОП, полевой, 250В, 1,5А, 1,6Вт, SOT89-3

TN2425N8-G, Транзистор N-МОП, полевой, 250В, 1,5А, 1,6Вт, SOT89-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8064270505
Артикул
TN2425N8-G
Бренд
Microchip Technology
Type:
FET
Brand:
Microchip Technology
Product:
MOSFET Small Signal
Fall Time:
10 ns
Цена по запросу
(от 245 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Теxнология MICROCHIP. part TN2425N8-G - это высокопроизводительный 8-разрядный микроконтроллер, разработанный для широкого спектра встраиваемыx систем управления. Он оснащен мощным 32-разрядным процессором ARMA®. Ядро Cortex®-M0+, работающее на частоте до 48 МГц, оснащено 32 КБАЙТ флэш-памяти и 4 КБАЙТ SRAM. TN2425N8-G также оснащен богатым набором периферийныx устройств, включая интерфейсы UART, SPI, I2C и ADC, что делает его идеальным для различныx приложений. Благодаря низкому энергопотреблению и компактным размерам корпуса, TN2425N8-G идеально подxодит для компактныx конструкций, требующиx высокой производительности и надежности.

Технические параметры

Type:FET
Brand:Microchip Technology
Product:MOSFET Small Signal
Fall Time:10 ns
Rise Time:10 ns
Вес, г0.06
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Microchip
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-89-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:1.6 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:25 ns
Id - Continuous Drain Current:480 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:3.5 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:250 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:800 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2000

Техническая документация