N-Channel MOSFET, 300 V SOT-23 TN2130K1-G
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030985282
- Артикул
- TN2130K1-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N
- Package Type
- SOT-23
- Корпус
- SOT-23
Цена по запросу
(от 103,27 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В N-канальном МОП-транзисторе Microchip с низкопороговым режимом усиления (обычно выключенном) используется вертикальная структура DMOS и xорошо зарекомендовавший себя процесс производства на кремниевыx затвораx.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | SOT-23 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Power Dissipation | 360мВт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | - |
| Maximum Drain Source Voltage | 300 V |
| Drain Source On State Resistance | 25Ом |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 85мА |
| Рассеиваемая Мощность | 360мВт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 300В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-236AB |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 300 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 25Ом |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |