Моя заявка (0)

TN2124K1-G, Power MOSFET, DMOS, N Channel, 240 V, 134 mA, 15 ohm, SOT-23, Surface Mount

TN2124K1-G, Power MOSFET, DMOS, N Channel, 240 V, 134 mA, 15 ohm, SOT-23, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000685748
Артикул
TN2124K1-G
Бренд
Microchip Technology
Вес, г
0.002
Channel Type
N Channel
Package Type
SOT-23
Корпус
SOT-23
Цена по запросу
(от 167 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

В N-канальном МОП-транзисторе Microchip с низкопороговым режимом усиления (обычно выключенном) используется вертикальная структура DMOS и xорошо зарекомендовавший себя процесс производства на кремниевыx затвораx.

Технические параметры

Вес, г0.002
Channel TypeN Channel
Package TypeSOT-23
КорпусSOT-23
Mounting TypeThrough Hole
Power Dissipation360мВт
СтруктураN-Channel
Особенности-
Maximum Drain Source Voltage240 V
Drain Source On State Resistance15Ом
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока134мА
Рассеиваемая Мощность360мВт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2В
Напряжение Измерения Rds(on)4.5В
Напряжение Истока-стока Vds240В
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В240
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)15Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.134
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.36
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)15 Ом

Техническая документация