Моя заявка (0)

TN0702N3-G,Power MOSFET, N Channel, 20 V, 530 mA, 1 ohm, TO-92, Through Hole

TN0702N3-G,Power MOSFET, N Channel, 20 V, 530 mA, 1 ohm, TO-92, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000668831
Артикул
TN0702N3-G
Бренд
Microchip Technology
COO
PH
Case
TO92
ECCN
EAR99
RoHS
Yes
Цена по запросу
(от 335 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 20V 1.3Ohm

Технические параметры

COOPH
CaseTO92
ECCNEAR99
RoHSYes
ТипFET
MountingTHT
Вес, г1.361
Длина5.21 mm
ManufacturerMICROCHIP TECHNOLOGY
Polarisationunipolar
Высота5.33 mm
Ширина4.19 mm
Kind of channelenhanced
Kind of packagebulk
УпаковкаBulk
Power dissipation1W
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураN-Channel
Gate-source voltage±20V
On-state resistance1.3Ω
Drain-source voltage20V
Pulsed drain current0.5A
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада20 ns
Supplier Standard Pack1000
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаMicrochip Technology
Упаковка / блокTO-92-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Время нарастания20 ns
Единица измеренияшт
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности1 W
Id - непрерывный ток утечки530 mA
Крутизна характеристики, S100 mS
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток5 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.3 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
Пороговое напряжение на затворе3
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения30 ns
Типичное время задержки при включении20 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток500 mV
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.53
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.100 mS
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1 Ом

Техническая документация