TN0606 Type N-Channel MOSFET, 3 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92 TN0606N3-G
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030985279
- Артикул
- TN0606N3-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Case
- TO92
- Тип
- FET
- Mounting
- THT
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 230,32 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В N-канальном МОП-транзисторе Microchip с низкопороговым режимом усиления (обычно выключенном) используется вертикальная структура DMOS и xорошо зарекомендовавший себя процесс производства на кремниевыx затвораx.
Технические параметры
| Case | TO92 |
| Тип | FET |
| Mounting | THT |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 5.21 mm |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Package Type | TO-92 |
| Polarisation | unipolar |
| Высота | 5.33 mm |
| Ширина | 4.19 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | bulk |
| Упаковка | Bulk |
| Power Dissipation | 1Вт |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 1.5Ω |
| Drain-source voltage | 60V |
| Pulsed drain current | 3A |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 16 ns |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Microchip Technology |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время нарастания | 14 ns |
| Drain Source On State Resistance | 1Ом |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 500мА |
| Рассеиваемая Мощность | 1Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 500 mA |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Крутизна характеристики, S | 400 mS |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-92 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 16 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 600 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 400 mS |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |