TN0106N3-G-P013, MOSFETs N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005494592
- Артикул
- TN0106N3-G-P013
- Бренд
- Microchip Technology
- Вес, г
- 0.45
- Продукт
- MOSFET Small Signal
- Упаковка
- Ammo Pack
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 250 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-CH Enhancmnt Mode МОП-транзистор
Технические параметры
| Вес, г | 0.45 |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Упаковка | Ammo Pack |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 3 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Microchip Technology |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время нарастания | 3 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 350 mA |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 6 ns |
| Типичное время задержки при включении | 2 ns |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |