Моя заявка (0)

TN0104N3-G, Транзистор МОП n-канальный, 40В, 2А, 1Вт, TO92, Канал обогащенный

TN0104N3-G, Транзистор МОП n-канальный, 40В, 2А, 1Вт, TO92, Канал обогащенный

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062957100
Артикул
TN0104N3-G
Бренд
Microchip Technology
Case
TO92
Тип
FET
Mounting
THT
Вес, г
0.22
Цена по запросу
(от 170 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 40V 1.8Ohm

Технические параметры

CaseTO92
ТипFET
MountingTHT
Вес, г0.22
Длина5.21 mm
ManufacturerMICROCHIP TECHNOLOGY
Polarisationunipolar
Высота5.33 mm
Ширина4.19 mm
Drain current0.45A
Kind of channelenhanced
Kind of packagebulk
УпаковкаBulk
Power dissipation1W
Type of transistorN-MOSFET
Gate-source voltage±20V
On-state resistance1.8Ω
Drain-source voltage40V
Pulsed drain current2.4A
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада5 ns
Power Dissipation (Pd)1W
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаMicrochip Technology
Упаковка / блокTO-92-3
Input Capacitance (Ciss@Vds)70pF@20V
Continuous Drain Current (Id)450mA
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Время нарастания7 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности1 W
Id - непрерывный ток утечки450 mA
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.8 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток40 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения6 ns
Типичное время задержки при включении3 ns

Техническая документация