TMBT3904,LM, 50V 320mW 150mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017601508
- Артикул
- TMBT3904,LM
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 0.04
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 9 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы NPN SOT-23 на 50 В 320 МВт при 100 мА, 1 В 150 мА - BJT ROHS
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 0.04 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Collector Current (Ic) | 150mA |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 320mW |
| Power Dissipation (Pd) | 320mW |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Transition Frequency (fT) | 300MHz |
| Gain Bandwidth Product fT: | 300 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@10mA, 1V |
| Maximum DC Collector Current | 150mA |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
| Maximum DC Collector Current: | 150 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 300 mV |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@5mA, 50mA |