TKR74F04PB.LXGQ
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070494553
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Fall Time:
- 96 ns
Цена по запросу
(от 470 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные устройства Toshiba Automotive Devices предлагает широкий ассортимент МОП-транзисторов, оптической изоляции, транзисторов и диодов для различныx автомобильныx применений в системаx с аккумуляторами напряжением от 12 В до 48 В. Кроме того, Toshiba предлагает драйверы для управления двигателем автомобильного класса. Автомобильные устройства Toshiba соответствуют стандартам AEC-Q100 и AEC-Q101.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fall Time: | 96 ns |
| Rise Time: | 19 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TO-220SM-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Package / Case | TO-263-3, D2PAK(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 227 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | 175°C |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.74mOhm @ 125A, 10V |
| Pd - Power Dissipation: | 375 W |
| Power Dissipation (Max) | 375W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220SM(W) |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 52 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 227 nC @ 10 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 260 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 250 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 740 uOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14200 pF @ 10 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 250A(Ta) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |