TK9P65W,RQ, Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002234354
- Артикул
- TK9P65W,RQ
- Бренд
- Toshiba
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Material
- Si
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 170 ₽)
Минимальный заказ: 190 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH Si 650V 9.3A 3-контактный (2+Tab) DPAK T/R
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Package Width | 6.1 |
| Package Length | 6.6 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DPAK |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Typical Fall Time (ns) | 5 |
| Typical Rise Time (ns) | 16 |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 80000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 20 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 20@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 650 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 9.3 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 700@300V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 560@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 65 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |