TK9J90E,S1E, TO-3P-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017640033
- Артикул
- TK9J90E,S1E
- Бренд
- Toshiba
- Type
- 1PCSNChannel
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±30V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 600 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
900 В, 9 А, 250 Вт 1.3Ohm@4.5A,10 В, 4 В, 900uA, 1 шт., канальные МОП-транзисторы TO-252-2 (DPAK), ROHS
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 6.42 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 900µA |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Power Dissipation (Pd) | 250W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3Ohm @ 4.5A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 250W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-3P(N) |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 46nC@10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2nF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A(Ta) |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@900uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 900 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.3Ω@4.5A, 10V |