Моя заявка (0)

TK9A60D(STA4,Q,M),Power MOSFET, N Channel, 600 V, 9 A, 0.67 ohm, SC-67, Through Hole

TK9A60D(STA4,Q,M),Power MOSFET, N Channel, 600 V, 9 A, 0.67 ohm, SC-67, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044637623
Артикул
TK9A60D(STA4,Q,M)
Бренд
Toshiba
Вес, г
1.7
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Структура
N-Channel
Цена по запросу
(от 680 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г1.7
No. of Pins3Pins
Channel TypeN Channel
СтруктураN-Channel
Transistor MountingThrough Hole
Transistor Case StyleSC-67
Особенностивысоковольтный
Drain Source Voltage Vds600V
Operating Temperature Max150°C
Continuous Drain Current Id9A
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Пороговое напряжение на затворе4
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А9
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт45
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)10V

Техническая документация