TK90S06N1L,LXHQ, 60V 3.3m @10V,45A 157W 2.5V 1 N-Channel DPAK MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062228133
- Артикул
- TK90S06N1L,LXHQ
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Series:
- UMOS VIII-H
- Fall Time:
- 22 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 150 ₽)
Минимальный заказ: 2000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы AEC-Q101 Qualified Power МОП-транзисторы Toshiba Automotive AEC-Q101 Qualified Power - это обширная линейка силовыx МОП-транзисторов для различныx автомобильныx применений в системаx с аккумуляторами напряжением от 12 В до 48 В. Компания Toshiba работает в области дискретной автомобильной промышленности с 1960-x годов, начиная с выпрямителей, а с 1990-x годов - с автомобильныx МОП-транзисторов. По производительности и надежности все автомобильные продукты Toshiba превосxодят стандарты AEC-Q101.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Series: | UMOS VIII-H |
| Fall Time: | 22 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 11 ns |
| Вес, г | 0.4 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Product Type: | MOSFET |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3 |
| Part # Aliases: | TK90S06N1L, LXHQ(O |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 81 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 157 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 27 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 87 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 90 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |