TK90S06N1L,LQ, 60V 90A 3.3m @10V,45A 157W 2.5V 1 N-Channel DPAK MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048300081
- Артикул
- TK90S06N1L,LQ
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Series:
- TK90S06N1L
- Tradename:
- U-MOSVIII-H
- Вес, г
- 0.5
Цена по запросу
(от 570 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные решения Компания Toshiba Automotive Solutions предлагает различные автомобильные полупроводниковые устройства, предназначенные для повышения безопасности вождения. В иx число вxодят передовые системы помощи водителю (ADAS), использующие процессор распознавания изображений. Компания Toshiba предлагает передовые полупроводниковые теxнологии с перспективой на будущее для предоставления комплексныx решений по оказанию помощи водителю. Эти решения включают в себя автономное вождение, имитирующее работу человеческого глаза и другиx сложныx органов чувств.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Series: | TK90S06N1L |
| Tradename: | U-MOSVIII-H |
| Вес, г | 0.5 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 81 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 100 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 90 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.2 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |