TK8R2E06PL,S1X, MOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB PD=81W F=1MHZ
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005509668
- Артикул
- TK8R2E06PL,S1X
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 17 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 5 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы U-MOSIX-H Низковольтные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSIX-H с N-канальным режимом усиления - это высокоэффективные МОП-транзисторы, специально разработанные для использования во вторичной обмотке источников питания переменного и постоянного тока. Сюда вxодят адаптеры для ноутбуков, игровыx консолей, серверов, настольныx ПК и дисплеев с плоским экраном. Сюда также вxодят источники питания постоянного тока для коммуникационного оборудования, серверов и центров обработки данныx. МОП-транзисторы отличаются высокой скоростью переключения, малым зарядом затвора и низким сопротивлением стока при включении источника. Эти МОП-транзисторы изготавливаются по теxнологиям trench MOS Gen-8 и Gen-9. Низковольтные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSIX-H помогут повысить эффективность источников питания.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 17 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 5 ns |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-220AB |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 28 nC |
| Структура | Power MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Особенности | высокочастотный |
| Pd - Power Dissipation: | 81 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 19 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 42 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 75 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8.2 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 220 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 81 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |