TK8P25DA,RQ(S, TO-252-3 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017663037
- Артикул
- TK8P25DA,RQ(S
- Бренд
- Toshiba
- Width
- 6.1mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.5
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 180 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Toshiba представляет собой кремниевый N-канальный МОП-транзистор с 3 контактами и поверxностным монтажом. Низкое сопротивление стока при включении источника
Технические параметры
| Width | 6.1mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.5 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Корпус | TO-252 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Forward Diode Voltage | 1.7V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 55 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 250 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 500 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 7.5 A |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 20В |