Моя заявка (0)

TK8A60W,S4VX(M,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-220SIS, Through Hole

TK8A60W,S4VX(M,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-220SIS, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044637618
Артикул
TK8A60W,S4VX(M
Бренд
Toshiba
Вес, г
1.7
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Корпус
TO-220
Цена по запросу
(от 900 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г1.7
No. of Pins3Pins
Channel TypeN Channel
КорпусTO-220
СтруктураN-Channel
Transistor MountingThrough Hole
Transistor Case StyleTO-220SIS
Особенностивысоковольтный
Drain Source Voltage Vds600V
Operating Temperature Max150°C
Continuous Drain Current Id8A
Gate Source Threshold Voltage Max3.7V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт60
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)10V

Техническая документация