Моя заявка (0)

TK8A25DA,S4X, MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=30W F=1MHZ

TK8A25DA,S4X, MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=30W F=1MHZ

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062501558
Артикул
TK8A25DA,S4X
Бренд
Toshiba
Вес, г
1.95
Серия:
TK8A25DA
Упаковка:
Tube
Технология:
Si
Цена по запросу
(от 460 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы π-MOS VII МОП-транзисторы Toshiba -MOS VII представляют собой одноканальные N-канальные устройства с вентильным приводом на 10 В, сочетающие теxнологию MOS с планарным процессом для обеспечения широкого диапазона значений напряжения и длительности работы (ВКЛ.). Эти высоковольтные МОП-транзисторы предлагаются с диапазоном напряжений сток-исток от 250 В до 650 В и с диапазоном токов стока от 2 А до 20 А. МОП-транзисторы -MOS VII предлагаются в корпусаx со сквозными отверстиями TO-220-3 и TO-252, а также в компактныx корпусаx для поверxностного монтажа DPAK-3 и PW-Mold-3.

Технические параметры

Вес, г1.95
Серия:TK8A25DA
Упаковка:Tube
Технология:Si
Вид монтажа:Through Hole
Время спада:16 ns
Тип продукта:MOSFET
Конфигурация:Single
Подкатегория:MOSFETs
Производитель:Toshiba
Торговая марка:Toshiba
Упаковка / блок:TO-220-3
Канальный режим:Enhancement
Тип транзистора:1 N-Channel
Qg - заряд затвора:16 nC
Время нарастания:28 ns
Категория продукта:МОП-транзистор
Количество каналов:1 Channel
Полярность транзистора:N-Channel
Pd - рассеивание мощности:30 W
Id - непрерывный ток утечки:7.5 A
Коммерческое обозначение:MOSVII
Vgs - напряжение затвор-исток:-20 V, +20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:500 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток:250 V
Минимальная рабочая температура:-55 C
Максимальная рабочая температура:+150 C
Типичное время задержки выключения:66 ns
Типичное время задержки при включении:32 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :1.5 V
Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки:50

Техническая документация