TK7J90E,S1E, MOSFETs PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006230479
- Артикул
- TK7J90E,S1E
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 7
- Длина
- 15.5 mm
- Серия
- TK7J90E
- Высота
- 20 mm
Цена по запросу
(от 880 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN
Технические параметры
| Вес, г | 7 |
| Длина | 15.5 mm |
| Серия | TK7J90E |
| Высота | 20 mm |
| Ширина | 4.5 mm |
| Упаковка | Tube |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 15 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | TO-3PN-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 32 nC |
| Время нарастания | 20 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 200 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 7 A |
| Коммерческое обозначение | MOSVIII |
| Размер фабричной упаковки | 25 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.6 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 900 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 85 ns |
| Типичное время задержки при включении | 55 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 900 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |