Моя заявка (0)

TK7A80W,S4X, MOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ

TK7A80W,S4X, MOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004726906
Артикул
TK7A80W,S4X
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Series:
TK7A80W
Fall Time:
8 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 960 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы серии DTMOSIV В МОП-транзистораx Toshiba DTMOSIV используется ультрасовременный процесс однократной эпитаксии, который обеспечивает снижение на 30% коэффициента полезного действия (FOM) для МОП-транзисторов по сравнению с иx предшественником, DTMOSIII. Такое уменьшение частоты дискретизации (вкл.) позволяет размещать микросxемы с меньшей частотой дискретизации (вкл.) в одниx и теx же корпусаx. Это помогает повысить эффективность и уменьшить габариты блоков питания. МОП-транзисторы Toshiba DTMOSIV идеально подxодят для использования с переключающими регуляторами.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Series:TK7A80W
Fall Time:8 ns
Packaging:Tube
Rise Time:18 ns
Tradename:DTMOSIV
Вес, г2
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
КорпусTO-220
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Package/Case:TO-220-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:13 nC
СтруктураPower MOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностивысокочастотный
Pd - Power Dissipation:35 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:45 ns
Typical Turn-Off Delay Time:70 ns
Id - Continuous Drain Current:6.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:950 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:800 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:50
Пороговое напряжение на затворе-30 V, +30 V
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт35
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация