TK7A65D(STA4,Q,M),Power MOSFET, N Channel, 650 V, 7 A, 0.8 ohm, SC-67, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044637609
- Артикул
- TK7A65D(STA4,Q,M)
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 1.7
- Длина
- 10 mm
- Серия
- TK7A65D
- Высота
- 15 mm
Цена по запросу
(от 840 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch MOS 7A 650V 45W 1200pF 0.98
Технические параметры
| Вес, г | 1.7 |
| Длина | 10 mm |
| Серия | TK7A65D |
| Высота | 15 mm |
| Ширина | 4.5 mm |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 45 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 7 A |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 980 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.8 Ом |