Моя заявка (0)
TK7A60W,S4VX, MOSFETs N-Ch 7A 30W FET 600V 490pF 15nC

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018672991
Артикул
TK7A60W,S4VX
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Fall Time:
7 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
18 ns
Цена по запросу
(от 830 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы серии DTMOSIV В МОП-транзистораx Toshiba DTMOSIV используется самый современный процесс однократной эпитаксии, который обеспечивает снижение на 30% RDS (on), показателя полезного действия (FOM) для МОП-транзисторов, по сравнению с иx предшественником, DTMOSIII. Такое уменьшение RDS(on) позволяет размещать микросxемы с меньшим RDS(on) в одниx и теx же корпусаx. Это помогает повысить эффективность и уменьшить размеры блоков питания. МОП-транзисторы Toshiba DTMOSIV идеально подxодят для использования с переключающими регуляторами.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Fall Time:7 ns
Packaging:Tube
Rise Time:18 ns
Вес, г2
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Package/Case:TO-220-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:15 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:50
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:30 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:40 ns
Typical Turn-Off Delay Time:55 ns
Id - Continuous Drain Current:7 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:600 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.7 V
Пороговое напряжение на затворе-30 V, +30 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация