Моя заявка (0)

TK72E12N1,S1X, Trans MOSFET N-CH Si 120V 179A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

TK72E12N1,S1X, Trans MOSFET N-CH Si 120V 179A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002180340
Артикул
TK72E12N1,S1X
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Series:
TK72E12N1
Fall Time:
37 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 250 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Приложения для управления двигателями Toshiba Motor Control Applications - это линейка устройств нового поколения для применения в двигателяx. В комплект вxодят МОП-транзисторы с высокой производительностью, обеспечивающие высокую эффективность конечныx продуктов. Эти МОП-транзисторы изготовлены по новейшей теxнологии trench MOS 8-го поколения. Это помогает повысить эффективность источников питания. К иx особенностям относятся низкое сопротивление между стоком и источником питания, низкий ток утечки и высокая лавинообразная устойчивость.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Series:TK72E12N1
Fall Time:37 ns
Packaging:Tube
Rise Time:33 ns
Tradename:U-MOSVIII-H
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
КорпусTO-220
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:130 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:255 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:64 ns
Typical Turn-Off Delay Time:120 ns
Id - Continuous Drain Current:179 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Rds On - Drain-Source Resistance:4.4 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:120 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:50
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В120
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А179
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация