U-MOSVIII-H Type N-Channel MOSFET, 157 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220 TK72E08N1,S1X(S
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009708303
- Артикул
- TK72E08N1,S1X(S
- Бренд
- Toshiba
- Width
- 4.45mm
- Series
- U-MOSVIII-H
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 11
Цена по запросу
(от 580 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 4.45mm |
| Series | U-MOSVIII-H |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 11 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Maximum Power Dissipation | 192 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 81 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 4.3 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 157 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 157 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |