Моя заявка (0)

TK6R4E10PL,S1X(S,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 112 A, 0.0055 ohm, TO-220, Through Hole

TK6R4E10PL,S1X(S,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 112 A, 0.0055 ohm, TO-220, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044637602
Артикул
TK6R4E10PL,S1X(S
Бренд
Toshiba
Вес, г
1.93
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Корпус
TO-220
Цена по запросу
(от 1 200 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г1.93
No. of Pins3Pins
Channel TypeN Channel
КорпусTO-220
Product RangeU-MOSIX-H Series
СтруктураN-Channel
Transistor MountingThrough Hole
Transistor Case StyleTO-220
Особенности-
Drain Source Voltage Vds100V
Operating Temperature Max175°C
Continuous Drain Current Id112A
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А112
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт152
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)5500µohm

Техническая документация