Моя заявка (0)

TK6A80E, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 6А; Idm: 18А; 45Вт; TO220FP

TK6A80E, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 6А; Idm: 18А; 45Вт; TO220FP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009507514
Артикул
TK6A80E
Бренд
Toshiba
Case
TO220FP
Mounting
THT
Вес, г
1.54
Gate charge
32nC
Цена по запросу
(от 440 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

CaseTO220FP
MountingTHT
Вес, г1.54
Gate charge32nC
ManufacturerTOSHIBA
Polarisationunipolar
Корпусto220
Drain current6A
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
Power dissipation45W
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±30V
On-state resistance1.35Ω
Drain-source voltage800V
Pulsed drain current18A
Особенности-
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт45
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация