TK6A65D(STA4,Q,M), Транзистор N-MOSFET 650В 6А [TO-220SIS]
![TK6A65D(STA4,Q,M), Транзистор N-MOSFET 650В 6А [TO-220SIS]](https://static.epl-electro.ru/lib/547/DOC005547814.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000335356
- Артикул
- TK6A65D(STA4,Q,M)
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 3.5
- Корпус
- TO-220SIS
- Структура
- N-Channel
- Пороговое напряжение на затворе
- -20 V, +20 V
Цена по запросу
(от 280 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch FET 650V 4.0s IDSS 10 uA .95 Ohm
Технические параметры
| Вес, г | 3.5 |
| Корпус | TO-220SIS |
| Структура | N-Channel |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 45 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.11 Ом/3А, 10В |