Моя заявка (0)
TK6A60W,S4VX, MOSFETs N-Ch 6.2A 30W FET 600V 390pF 12nC

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004726905
Артикул
TK6A60W,S4VX
Бренд
Toshiba
Вес, г
6
Длина
10 mm
Серия
TK6A60W
Высота
15 mm
Цена по запросу
(от 800 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Ch 6.2A 30W FET 600V 390pF 12nC

Технические параметры

Вес, г6
Длина10 mm
СерияTK6A60W
Высота15 mm
Ширина4.5 mm
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада7 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаToshiba
Упаковка / блокTO-220FP-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора12 nC
Время нарастания18 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности30 W
Id - непрерывный ток утечки6.2 A
Размер фабричной упаковки50
Vgs - напряжение затвор-исток30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток680 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения55 ns
Типичное время задержки при включении40 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3.7 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация