Моя заявка (0)
TK65S04N1L,LXHQ, MOSFETs 107W 1MHz Automotive; AEC-Q101

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009089903
Артикул
TK65S04N1L,LXHQ
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Series:
UMOS VIII-H
Fall Time:
17 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 560 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные устройства Компания Toshiba Automotive Devices предлагает широкий ассортимент МОП-транзисторов, оптической изоляции, транзисторов и диодов для различныx автомобильныx применений в системаx с аккумуляторами напряжением от 12 В до 48 В. Кроме того, Toshiba предлагает драйверы для управления двигателями автомобильного класса. Автомобильные устройства Toshiba соответствуют стандартам AEC-Q100 и AEC-Q101.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Series:UMOS VIII-H
Fall Time:17 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:8 ns
Вес, г0.36
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Product Type:MOSFET
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:DPAK-3
Part # Aliases:TK65S04N1L, LXHQ(O
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:39 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностиавтомобильные приложения
Pd - Power Dissipation:107 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:20 ns
Typical Turn-Off Delay Time:51 ns
Id - Continuous Drain Current:65 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Rds On - Drain-Source Resistance:4.3 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2000
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт107
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация