N-Channel MOSFET, 65 A, 40 V, 3-Pin DPAK TK65S04N1L
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8023318659
- Артикул
- TK65S04N1L
- Бренд
- Toshiba
- Width
- 7mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 490 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Применение: Переключающие регуляторы напряжения для двигателей автомобилей Отличаются низким сопротивлением включения источника питания: RDS(ON) = 3.
Технические параметры
| Width | 7mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 107 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 4.3 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 65 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 65 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 107 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |