TK65E10N1,S1X(S,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 148 A, 0.004 ohm, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044637597
- Артикул
- TK65E10N1,S1X(S
- Бренд
- Toshiba
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 1 170 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторный MOSFET N-CH Si 100V 148A, 3-контактный (3+ язычка), магазин TO-220
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Material | Si |
| Mounting | Through Hole |
| Packaging | Magazine |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1.93 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Корпус | TO-220 |
| Configuration | Single |
| Package Width | 4.45 |
| Package Length | 10.16 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220 |
| Maximum IDSS (uA) | 10 |
| Process Technology | U-MOS VIII-H |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | TO |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 26 |
| Typical Rise Time (ns) | 19 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 192000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 81 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 81@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 148 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 5400@50V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 4.8@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 148 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 192 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.004 Ом |