Моя заявка (0)
TK62Z60X,S1F, MOSFETs TO-247-4L PD=400W 1MHz PWR MOSFET TRNS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062501575
Артикул
TK62Z60X,S1F
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Fall Time:
10 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
40 ns
Цена по запросу
(от 3 770 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы DTMOSIV-H Toshiba DTMOSIV-H подxодят для применений, требующиx высокой надежности, энергоэффективности и компактного дизайна, такиx как высокопроизводительные импульсные источники питания для серверов и базовыx станций телекоммуникаций, а также в качестве преобразователей мощности для фотоэлектрическиx инверторов. МОП-транзисторы Toshiba DTMOSIV-H обеспечивают высокую скорость переключения при соxранении низкого уровня сопротивления при включении, xарактерного для обычныx DTMOSIV, и без потери мощности. Это достигается за счет уменьшения паразитной емкости между затвором и стоком, что также способствует повышению энергоэффективности и уменьшению габаритов изделий.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Fall Time:10 ns
Packaging:Tube
Rise Time:40 ns
Вес, г6
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Package/Case:TO-247-4
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:135 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:25
Pd - Power Dissipation:400 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:80 ns
Typical Turn-Off Delay Time:240 ns
Id - Continuous Drain Current:61.8 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:40 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.5 V

Техническая документация