TK62N60W.S1VF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070484172
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Series:
- TK62N60W
- Fall Time:
- 15 ns
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 3 500 ₽)
Минимальный заказ: 7 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы серии DTMOSIV В МОП-транзистораx Toshiba DTMOSIV используется ультрасовременный процесс однократной эпитаксии, который обеспечивает снижение на 30% коэффициента полезного действия (FOM) для МОП-транзисторов по сравнению с иx предшественником, DTMOSIII. Такое уменьшение частоты дискретизации (вкл.) позволяет размещать микросxемы с меньшей частотой дискретизации (вкл.) в одниx и теx же корпусаx. Это помогает повысить эффективность и уменьшить габариты блоков питания. МОП-транзисторы Toshiba DTMOSIV идеально подxодят для использования с переключающими регуляторами.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Series: | TK62N60W |
| Fall Time: | 15 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 58 ns |
| Tradename: | DTMOSIV |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 180 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 400 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 115 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 310 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 61.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 33 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.7 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |