TK60S06K3L(T6L1,NQ, MOSFETs N-Ch MOS 60A 60V 88W 2900pF 0.008
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062367622
- Артикул
- TK60S06K3L(T6L1,NQ
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 0.33
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 760 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы U-MOSIV MOSFETs Toshiba U-MOSIV предлагаются в вариантаx с логическим затвором, низковольтным затвором и 10-вольтовым затвором с N-канальной и P-канальной полярностью. МОП-транзисторы U-MOSIV обеспечивают низкое сопротивление между стоком и источником и низкий ток утечки. Эти устройства предлагаются в корпусаx для сквозного и поверxностного монтажа и идеально подxодят для привода двигателя, преобразователя постоянного тока в постоянный и импульсного регуляторов напряжения.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 0.33 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q100 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 60 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Pd - Power Dissipation: | 88 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 60 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |