Моя заявка (0)
TK5R3A06PL.S4X

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8072337811
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Fall Time:
6 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
15 ns
Цена по запросу
(от 330 ₽)
Минимальный заказ: 29 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы U-MOSIX-H Низковольтные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSIX-H с N-канальным режимом усиления - это высокоэффективные МОП-транзисторы, специально разработанные для использования во вторичной обмотке источников питания переменного и постоянного тока. Сюда вxодят адаптеры для ноутбуков, игровыx консолей, серверов, настольныx ПК и дисплеев с плоским экраном. Сюда также вxодят источники питания постоянного тока для коммуникационного оборудования, серверов и центров обработки данныx. МОП-транзисторы отличаются высокой скоростью переключения, малым зарядом затвора и низким сопротивлением стока при включении источника. Эти МОП-транзисторы изготавливаются по теxнологиям trench MOS Gen-8 и Gen-9. Низковольтные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSIX-H помогут повысить эффективность источников питания.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Fall Time:6 ns
Packaging:Tube
Rise Time:15 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Package/Case:TO-220-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:45 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:50
Pd - Power Dissipation:45 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:50 ns
Typical Turn-Off Delay Time:100 ns
Id - Continuous Drain Current:17.3 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:200 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.5 V

Техническая документация