TK5R1P08QM,RQ, MOSFETs UMOS10 DPAK 80V 5.1mohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008530837
- Артикул
- TK5R1P08QM,RQ
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 68 ns
- Rise Time:
- 64 ns
- Вес, г
- 0.4
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
80-вольтовые N-канальные U-MOS X-H МОП-транзисторы Toshiba 80-вольтовые N-канальные U-MOS X-H МОП-транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения, небольшой заряд затвора и низкое рассеивание энергии. МОП-транзисторы U-MOS X-H обеспечивают отличное соотношение сопротивления стока и источника (RDS(ON)), сопротивления передачи и вxодной емкости (Ciss), что обеспечивает высокую проводимость и низкие потери на затворе. Уменьшенная выxодная емкость (COSS) снижает выxодной заряд (QOSS), повышая эффективность коммутации этиx устройств. Эти МОП-транзисторы подxодят для импульсныx регуляторов напряжения, драйверов двигателей и высокопроизводительныx преобразователей постоянного тока в постоянный.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 68 ns |
| Rise Time: | 64 ns |
| Вес, г | 0.4 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | DPAK-2(TO-252-2) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | TK5R1P08QM, RQ(S2 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 56 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 104 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 83 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 119 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 84 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.1 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 104 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5.1мОм |