TK5P60W5,RVQ, N-Channel 600 V 4.5A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8073210923
- Артикул
- TK5P60W5,RVQ
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 1
- Серия
- TK5P60W
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 780 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор PWR MOS PD=60W F=1MHZ
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Серия | TK5P60W |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 7 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | DPAK-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 10.5 nC |
| Время нарастания | 18 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 60 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 5.4 A |
| Коммерческое обозначение | DTMOSIV |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 900 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 50 ns |
| Типичное время задержки при включении | 40 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.7 V |