Моя заявка (0)

TK5P50D(T6RSS-Q),Power MOSFET, N Channel, 500 V, 5 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

TK5P50D(T6RSS-Q),Power MOSFET, N Channel, 500 V, 5 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044526246
Артикул
TK5P50D(T6RSS-Q)
Бренд
Toshiba
Вес, г
0.36
Длина
6.5 mm
Серия
TK5P50D
Высота
2.3 mm
Цена по запросу
(от 590 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Ch MOS 5A 500V 80W 490pF 1.5 Ohm

Технические параметры

Вес, г0.36
Длина6.5 mm
СерияTK5P50D
Высота2.3 mm
КорпусTO-252
Ширина5.5 mm
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада8 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаToshiba
Упаковка / блокTO-252-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора11 nC
Время нарастания18 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности80 W
Id - непрерывный ток утечки5 A
Коммерческое обозначениеDTMOSIV
Размер фабричной упаковки2000
Vgs - напряжение затвор-исток30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.3 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
Пороговое напряжение на затворе-
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения55 ns
Типичное время задержки при включении40 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4.4 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.0.8 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.3 Ом

Техническая документация