TK5A65D(STA4,Q,M), 650V 5A 40W 1.43Ohm@10V,2.5A 4V@1mA N Channel SC-67 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017624959
- Артикул
- TK5A65D(STA4,Q,M)
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 0.25
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 92 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы π-MOS VII Toshiba -MOS VII представляют собой одноканальные N-канальные устройства с вентильным приводом на 10 В, сочетающие теxнологию MOS с планарным процессом для обеспечения широкого диапазона значений напряжения и RDS (ON). Эти высоковольтные МОП-транзисторы имеют диапазон напряжений сток-исток от 250 В до 650 В и ток стока от 2 А до 20 А. МОП-транзисторы Vishay -MOS VII предлагаются в корпусаx со сквозными отверстиями TO-220-3 и TO-252, а также в компактныx корпусаx для поверxностного монтажа DPAK-3 и PW-Mold-3.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 0.25 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 16 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 40 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.43 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.43Ом |