TK58E06N1,S1X, null 58A 110W 5.4mOhm@29A,10V null TO-220 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024895058
- Артикул
- TK58E06N1,S1X
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 1.96
- Длина
- 10.16 mm
Цена по запросу
(от 98 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 60V N-Ch PWR FET 105A 110W 46nC
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 1.96 |
| Длина | 10.16 mm |
| Серия | TK58E06N1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Высота | 15.1 mm |
| Корпус | TO-220 |
| Ширина | 4.45 mm |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Упаковка | Tube |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 46 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 110 W |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current: | 105 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Qg - заряд затвора | 46 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.4 mOhms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 110 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 105 A |
| Коммерческое обозначение | U-MOSVIII-H |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5.4 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 58 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5.4мОм |