TK56E12N1,S1X(S,Power MOSFET, N Channel, 120 V, 112 A, 0.0058 ohm, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044526243
- Артикул
- TK56E12N1,S1X(S
- Бренд
- Toshiba
- Case
- TO220AB
- Mounting
- THT
- Вес, г
- 1.93
- Gate charge
- 69nC
Цена по запросу
(от 960 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 120В, 56А, 168Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | TO220AB |
| Mounting | THT |
| Вес, г | 1.93 |
| Gate charge | 69nC |
| Manufacturer | TOSHIBA |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | TO-220 |
| Drain current | 56A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 168W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 5.8mΩ |
| Drain-source voltage | 120V |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 120 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 112 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 168 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0058 Ом |