TK560P65Y,RQ, 650V 7A 560m @10V 60W 4V@0.24mA 1 N-Channel DPAK MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062887006
- Артикул
- TK560P65Y,RQ
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 1
- Серия
- TK560P65Y
- Упаковка
- Reel, Cut Tape
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 150 ₽)
Минимальный заказ: 2000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch DTMOSV 650V 60W 380pF 7.0A
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Серия | TK560P65Y |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 8 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | DPAK-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 14.5 nC |
| Время нарастания | 20 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 60 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 7 A |
| Коммерческое обозначение | DTMOSV |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 430 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 105 ns |
| Типичное время задержки при включении | 50 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |