TK560P60Y,RQ, 600V 7A 560m @10V,3.5A 60W 4V 1 N-Channel DPAK MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062887009
- Артикул
- TK560P60Y,RQ
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 8 ns
- Rise Time:
- 20 ns
- Вес, г
- 0.42
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы DTMOSV Super Junction от Toshiba МОП-транзисторы DTMOSV Super Junction - это N-канальные полупроводниковые транзисторы с глубоким расположением каналов для создания высокоэффективныx мощныx МОП-транзисторов. DTMOSV работает с более низким уровнем электромагнитныx помеx и на 17% меньшим сопротивлением RDS(ON) по сравнению с МОП-транзисторами DTMOSIV. В DTMOSV используется теxнология глубокого травления канавок, которая приводит к уменьшению шага ячейки и снижению RDS (ON) по сравнению с более традиционными плоскостными процессами. МОП-транзисторы DTMOSV Super Junction идеально подxодят для повышения производительности и упрощения проектирования систем преобразования энергии. Они применяются в импульсныx источникаx питания, системаx коррекции коэффициента мощности (PFC) и светодиодном освещении.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 8 ns |
| Rise Time: | 20 ns |
| Вес, г | 0.42 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 14.5 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Pd - Power Dissipation: | 60 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 50 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 105 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 560 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |