TK4R4P06PL,RQ(S2,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 106 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044637591
- Артикул
- TK4R4P06PL,RQ(S2
- Бренд
- Toshiba
- Tab
- Tab
- Material
- Si
- Mounting
- Surface Mount
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 780 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH Si 60V 106A 3-контактный(2+Tab) DPAK
Технические параметры
| Tab | Tab |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.33 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Корпус | TO-252 |
| Configuration | Single |
| Package Width | 6.1 |
| Package Length | 6.6 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DPAK |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Typical Fall Time (ns) | 18 |
| Typical Rise Time (ns) | 10 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 87000 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 23.9@4.5V|48.2@10V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 60 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 106 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 3280@30V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 4.4@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 106 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 87 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0034 Ом |