Моя заявка (0)

TK4R3E06PL,S1X(S, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 80 A, 0.0033 ohm, TO-220, Through Hole

TK4R3E06PL,S1X(S, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 80 A, 0.0033 ohm, TO-220, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8012534920
Артикул
TK4R3E06PL,S1X(S
Бренд
Toshiba
Вес, г
0.001
Channel Type
N Channel
Корпус
TO-220
Power Dissipation
87Вт
Цена по запросу
(от 830 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.001
Channel TypeN Channel
КорпусTO-220
Power Dissipation87Вт
СтруктураN-Channel
Особенности-
Drain Source On State Resistance0.0033Ом
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока80А
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А80
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт87
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0033 Ом