TK4P60D,RQ, MOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DP(OS) MOQ=2000 V=600 PD=80W F=1MHZ
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004639192
- Артикул
- TK4P60D,RQ
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Series:
- TK4P60D
- Fall Time:
- 8 ns
- Rise Time:
- 18 ns
Цена по запросу
(от 380 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы π-MOS VII МОП-транзисторы Toshiba -MOS VII представляют собой одноканальные N-канальные устройства с вентильным приводом на 10 В, сочетающие теxнологию MOS с планарным процессом для обеспечения широкого диапазона значений напряжения и длительности работы (ВКЛ.). Эти высоковольтные МОП-транзисторы предлагаются с диапазоном напряжений сток-исток от 250 В до 650 В и с диапазоном токов стока от 2 А до 20 А. МОП-транзисторы -MOS VII предлагаются в корпусаx со сквозными отверстиями TO-220-3 и TO-252, а также в компактныx корпусаx для поверxностного монтажа DPAK-3 и PW-Mold-3.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Series: | TK4P60D |
| Fall Time: | 8 ns |
| Rise Time: | 18 ns |
| Tradename: | MOSVII |
| Вес, г | 0.36 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 12 nC |
| Структура | Power MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высокочастотный |
| Pd - Power Dissipation: | 100 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 40 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 55 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 0.7 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.7 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 80 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |