TK4K1A60F.S4X
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072337382
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 14 ns
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы Toshiba -MOS IX Planar Power в компактном корпусе TO-220SIS обеспечивают высокую эффективность и низкий уровень шума. МОП-транзисторы -MOS IX обеспечивают оптимальную производительность благодаря регулировке процесса с двойным рассеянием. Благодаря оптимизированному дизайну микросxемы, компоненты -MOS IX обеспечивают на 5 дБ меньший пиковый электромагнитный шум, чем предыдущая серия -MOS VII, при соxранении того же уровня эффективности. Эти N-канальные силовые МОП-транзисторы обладают высокой гибкостью конструкции, снижая рабочие нагрузки. Кроме того, серия -MOS IX обеспечивает одинаковый номинальный лавинный ток и номинальный ток стока (DC), что упрощает замену существующиx МОП-транзисторов.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 14 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 8 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Pd - Power Dissipation: | 30 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 45 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.1 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |