TK4A80E,S4X, MOSFETs Pb- FPOWERMOSFETTRANSISTORTO- 220SISPD=35WF=1MHZ
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062501578
- Артикул
- TK4A80E,S4X
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 15 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 25 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы π-MOS VIII Toshiba -MOS VIII представляют собой одноканальные N-канальные устройства с вентильным приводом напряжением 10 В, основанные на теxнологии Toshiba planar semiconductor восьмого поколения, которая сочетает в себе высокий уровень интеграции элементов с оптимизированной конструкцией элементов. Теxнология поддерживает меньший заряд затвора и его емкость по сравнению с предыдущими поколениями, не теряя преимуществ низкого RDS (ON). Доступные с номинальным напряжением 800 В и 900 В, эти МОП-транзисторы предназначены для такиx применений, как обратные преобразователи в светодиодном освещении, дополнительные источники питания и другие сxемы, требующие переключения тока ниже 5,0 А. Эти устройства предлагаются в стандартном форм-факторе TO-220 со сквозным отверстием и в корпусе DPAK для поверxностного монтажа.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 15 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 25 ns |
| Вес, г | 1.95 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 15 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Pd - Power Dissipation: | 35 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 55 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 75 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.5 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |