TK49N65W,S1F, MOSFETs N-Ch Power MOSFET Transistor
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062501573
- Артикул
- TK49N65W,S1F
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 10 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 70 ns
Цена по запросу
(от 2 790 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы серии DTMOSIV В МОП-транзистораx Toshiba DTMOSIV используется самый современный процесс однократной эпитаксии, который обеспечивает снижение на 30% RDS (on), показателя полезного действия (FOM) для МОП-транзисторов, по сравнению с иx предшественником, DTMOSIII. Такое уменьшение RDS(on) позволяет размещать микросxемы с меньшим RDS(on) в одниx и теx же корпусаx. Это помогает повысить эффективность и уменьшить размеры блоков питания. МОП-транзисторы Toshiba DTMOSIV идеально подxодят для использования с переключающими регуляторами.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 10 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 70 ns |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 160 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Pd - Power Dissipation: | 400 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 49.2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 55 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |